Ø ความจุ:

• 512GB/1TB/2TB

• เทคนิคการจัดการ Flash:

• การสนับสนุนเทคโนโลยีการปรับสัดส่วนการสกัดสภาพ static และ dynamic wear
• เทคโนโลยีการจัดการบล็อกที่ไม่ดี
• เทคนิคการสอน TRIM
• เทคนิค SMART
• การปรับ OP การสนับสนุน
• รองรับการป้องกันการหยุด

Ø อินเตอร์เฟซ:

• อินเตอร์เฟซ M.2
• สนับสนุน PCIe 4.0ข้อตกลง NVMe 1.4

• แฟลช

• SK ไฮนิกซ์ 3D TLC
• BGA 132 NAND FLASH

• ระยะอุณหภูมิการทํางาน

• อุณหภูมิการทํางาน: 0 °C ~ 70 °C
• อุณหภูมิการเก็บรักษา: -25°C ~ 85°C

• การอ่านและเขียน

• อ่านสูงสุด:7200MB/S
• ขั้นสูงสุดการเขียน:6700MB/S

• MTBF

• > 2000,000 ชั่วโมง

• การบริโภคพลังงาน

• พลังการอ่านสูงสุด: <3.7W
• พลังการเขียนสูงสุด: <4.2W

• ระยะเวลาการรับประกัน:

• 3 ปี